Grande efficienza è durabilità Diodu SiC 3L TO-220AB

Descrizzione corta:

Struttura di l'imballu: 3L TO-220AB

Introduzione: U diodu YUNYI 3L TO-220AB SiC hè fattu di materiali di carburo di siliciu. I diodi SiC anu una alta cunduttività termica, chì pò migliurà efficacemente a densità di putenza. Più alta hè a cunduttività termica, più forte hè a capacità di u materiale di trasferisce u calore à l'ambiente, più chjucu hè l'aumentu di temperatura di u dispusitivu, più hè favurevule à migliurà a densità di putenza di u dispusitivu di putenza, dunque hè più adattatu per travaglià in un ambiente à alta temperatura. L'alta forza di u campu di rumpitura di i diodi SiC aumenta a tensione di resistenza è riduce a dimensione, è l'alta forza di u campu di rumpitura elettronica aumenta a tensione di rumpitura di i dispusitivi di putenza à semiconduttori. À u listessu tempu, per via di l'aumentu di a forza di u campu di rumpitura elettronica, in casu di aumentu di a densità di penetrazione di l'impurità, a banda larga di a regione di deriva di u dispusitivu di putenza di u diodu SiC pò esse ridutta, in modu chì a dimensione di u dispusitivu di putenza pò esse ridutta.