Diodu SiC DPAK (TO-252AA) à alta conducibilità termica

Descrizzione corta:

Struttura di l'imballu: DPAK (TO-252AA)

Introduzione: U diodu SiC YUNYI DPAK (TO-252AA), fattu di materiali di carburo di siliciu, hà una alta cunduttività termica è una forte capacità di trasferisce u calore, più favurevule à u miglioramentu di a densità di putenza di u dispusitivu di putenza, dunque hè più adattatu per u travagliu in un ambiente à alta temperatura. L'alta forza di u campu di rottura di i diodi SiC aumenta a tensione di resistenza è riduce a dimensione, è l'alta forza di u campu di rottura elettronica aumenta a tensione di rottura di i dispusitivi di putenza à semiconduttori. À u listessu tempu, per via di l'aumentu di a forza di u campu di rottura elettronica, in casu di aumentu di a densità di penetrazione di l'impurità, a banda larga di a regione di deriva di u dispusitivu di putenza di u diodu SiC pò esse ridutta, in modu chì a dimensione di u dispusitivu di putenza pò esse ridutta.