Diodu SiC TO-247AC altamente affidabile è sviluppatu da sè stessu

Descrizzione corta:

Struttura di l'imballu: TO-247AC

Introduzione: U diodu SiC YUNYI TO-247AC hè fattu di materiali di carburo di siliciu. I diodi SiC ponu migliurà efficacemente a densità di putenza per via di una alta cunduttività termica. Più alta hè a cunduttività termica, più forte hè a capacità di u materiale di scaricà u calore à l'ambiente; più chjucu hè l'aumentu di a temperatura di u dispusitivu, più hè favurevule migliurà a densità di putenza di u dispusitivu di putenza. Stu vantaghju rende i diodi SiC di YUNYI più adatti à travaglià in un ambiente à alta temperatura. L'alta forza di u campu di rumpitura di i diodi SiC aumenta a tensione di resistenza è riduce a dimensione, è l'alta forza di u campu di rumpitura elettronica aumenta a tensione di rumpitura di i dispusitivi di putenza à semiconduttori. À u listessu tempu, per via di l'aumentu di a forza di u campu di rumpitura elettronica, in casu di aumentu di a densità di penetrazione di l'impurità, a banda larga di a regione di deriva di u dispusitivu di putenza di u diodu SiC pò esse ridutta, in modu chì a dimensione di u dispusitivu di putenza pò esse ridutta.