Grande efficienza è durabilità 3L TO-220AB SiC Diode

Breve descrizzione:

Struttura di imballaggio: 3L TO-220AB

Introduzione: YUNYI 3L TO-220AB SiC Diode hè fattu di materiali di carburu di siliciu. I diodi SiC anu una alta conduttività termica, chì ponu migliurà efficacemente a densità di putenza. A più alta hè a conductività termale, più forte hè a capacità di u materiale per trasfiriri u calore à l'ambiente, u più chjucu hè l'aumentu di a temperatura di u dispusitivu, u più favurevule à migliurà a densità di putenza di u dispusitivu di putenza, cusì hè più adattatu per travaglià in un ambiente à alta temperatura. L'alta forza di u campu di rupture di diodi SiC aumenta a tensione di resistenza è riduce a dimensione, è l'alta forza di u campu di rupture elettronicu aumenta a tensione di rupture di i dispositi di putenza semiconductor. À u listessu tempu, per via di l'aumentu di a forza di u campu di rupture di l'elettroni, in u casu di aumentà a densità di penetrazione di impurità, a banda larga di a regione di deriva di u dispusitivu di putenza di diode SiC pò esse ridutta, in modu chì a dimensione di u dispusitivu di putenza. pò esse ridutta.